MOSFET STMicroelectronics STP80NF55-06, VDSS 55 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 687-5305
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
18 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
3,235 €
(exc. IVA)
3,914 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 2 - 8 | 3,235 € | 6,47 € |
| 10 - 18 | 3,035 € | 6,07 € |
| 20 - 48 | 2,885 € | 5,77 € |
| 50 - 98 | 2,72 € | 5,44 € |
| 100 + | 2,595 € | 5,19 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 687-5305
- Nº ref. fabric.:
- STP80NF55-06
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 80 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 6,5 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 4.6mm |
| Longitud | 10.4mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 142 nC a 10 V |
| Serie | STripFET II |
| Altura | 9.15mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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