- Código RS:
- 825-9398
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 825-9398
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon
La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 90 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Serie | OptiMOS T2 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,6 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 136 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Longitud | 6.5mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 110 nC a 10 V |
Ancho | 6.22mm |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 2.3mm |
- Código RS:
- 825-9398
- Nº ref. fabric.:
- IPD90N03S4L02ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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