MOSFET Infineon IRF4905SPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 650-3678
Nº ref. fabric.:: IRF4905SPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF4905SPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,584 €

(exc. IVA)

0,707 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	0,584 €	2,92 €
*precio indicativo

Código RS:: 650-3678
Nº ref. fabric.:: IRF4905SPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MX

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	74 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	3,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.54mm
Ancho	8.81mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	180 nC a 10 V
Serie	HEXFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.69mm

Código RS:: 650-3678
Nº ref. fabric.:: IRF4905SPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF4905SPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

Especificaciones

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

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