IGBT, NGTG15N60S1EG, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 4-Pines
- Código RS:
- 769-5810
- Nº ref. fabric.:
- NGTG15N60S1EG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
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- Código RS:
- 769-5810
- Nº ref. fabric.:
- NGTG15N60S1EG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 30 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 117 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 4 |
| Dimensiones | 10.28 x 4.82 x 15.75mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 769-5810
- Nº ref. fabric.:
- NGTG15N60S1EG
- Fabricante:
- ON Semiconductor