- Código RS:
- 864-8899
- Nº ref. fabric.:
- FGP3040G2_F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 864-8899
- Nº ref. fabric.:
- FGP3040G2_F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor
Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimizados para accionar bobinas de encendido de automoción. Se han sometido a pruebas de fatiga mecánica y cumplen la norma AEC-Q101.
Características
Controlador de puerta nivel lógico
Protección contra ESD
Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Protección contra ESD
Aplicaciones: circuitos impulsores de bobina de encendido para automoción, aplicaciones de bobina sobre bujía.
Códigos de producto RS
864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK
Nota
Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C.
Estándares
AEC-Q101
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 41 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 400 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±10V |
Disipación de Potencia Máxima | 150 W |
Tipo de Encapsulado | TO-220 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 10.67 x 4.83 x 16.51mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |