Memoria FRAM

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FeRAM, F-RAM o FRAM) es una tecnología de memoria que ofrece la misma funcionalidad que una memoria flash. Los chips de memoria FRAM combinan el almacenamiento instantáneo de datos no volátiles con el alto rendimiento de la memoria RAM y se graban a una velocidad de interfaz máxima sin retardos en la escritura. 

La memoria FRAM ofrece resistencia prácticamente ilimitada (100 billones de ciclos de lectura/escritura) y se mantiene activa durante períodos de tiempo cortos, con un consumo de energía muy bajo.

¿Para qué se utilizan los chips de memoria FRAM?

Los chips de memoria FRAM se pueden integrar con tecnología de semiconductores de óxido de metal complementario (CMOS) para que los microcontroladores dispongan de sus propias memorias FRAM. Esto requiere menos fases que la cantidad requerida para incorporar una memoria flash, lo que las hace más rentables.

La memoria FRAM ofrece una solución optimizada y fácil de utilizar para una variedad de sistemas de medición electrónica avanzados, ya sea para medir la electricidad, el agua, el gas o la calefacción. Normalmente, los chips de memoria FRAM se encuentran en dispositivos electrónicos para almacenar pequeñas cantidades de datos.

Tipos de chips de memoria FRAM

• Los chips FRAM serie se suelen utilizar con la memoria de solo lectura programable que se puede borrar eléctricamente (EEPROM).
• Los chips FRAM paralelos se suelen utilizar con memorias de acceso aleatorio estáticas paralelas (SRAM).