JFET

"JFET
Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.
¿Qué significa JFET?
JFET significa transistor de efecto de campo de unión
Construcción de JFET de canal N
El nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Construcción de JFET de canal P
El nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Características y ventajas
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo controlado por tensión
• Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida
• Menos ruido
¿Cómo se conocen también?
JUGFET
¿Para qué se utilizan los transistores JFET?
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.
¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)?
La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
¿Qué es el dopaje de semiconductores?
El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descripción Precio Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 166-3088
Nº ref. fabric.MMBF5458
FabricanteON Semiconductor
0,078 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 2 → 9mA 15 V -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 806-4289
Nº ref. fabric.MMBF5458
FabricanteON Semiconductor
0,274 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 2 → 9mA 15 V -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 792-5167
Nº ref. fabric.2SK3557-7-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,331 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
unidades
N 16 → 32mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-2223
Nº ref. fabric.MMBFJ110
FabricanteON Semiconductor
0,131 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N Min. 10mA 15 V -25 V 25V Único Simple 18 Ω Montaje superficial SOT-23 3 85pF 85pF 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Código RS 169-7868
Nº ref. fabric.DSK5J01R0L
FabricantePanasonic
0,16 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 5 → 12mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Código RS 806-4302
Nº ref. fabric.MMBFJ110
FabricanteON Semiconductor
0,333 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
N Min. 10mA 15 V -25 V 25V Único Simple Ω18 Montaje superficial SOT-23 3 85pF 85pF 2.92 x 1.4 x 0.94mm
Código RS 145-5577
Nº ref. fabric.MMBF4392
FabricanteON Semiconductor
0,065 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 25 → 75mA 0,4 V -30 V 30V Único Simple 60 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 749-8277
Nº ref. fabric.DSK9J01Q0L
FabricantePanasonic
0,40 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
unidades
N 2 → 6.5mA - - -55V Único Simple - Montaje superficial SSMini3 F3 B 3 - - 1.6 x 0.85 x 0.7mm
Código RS 146-2080
Nº ref. fabric.MMBF5459
FabricanteON Semiconductor
0,069 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 4 → 16mA - -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 3pF 7pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 792-5173
Nº ref. fabric.2SK932-23-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,316 €
unitario (Suministrado en Tiras de 25)
unidades
N 10 → 17mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 806-4276
Nº ref. fabric.MMBF4392
FabricanteON Semiconductor
0,165 €
unitario (Suministrado en Tiras de 50)
unidades
N 25 → 75mA 0,4 V -30 V 30V Único Simple 60 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 146-2129
Nº ref. fabric.MMBFJ309
FabricanteON Semiconductor
0,109 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 30mA 10 V -25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 2.5pF 5pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-0547
Nº ref. fabric.PMBF4391,215
FabricanteNXP
0,098 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 50 → 150mA 40 V -40 V 40V Único Simple 30 Ω Montaje superficial SOT-23 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 626-2311
Nº ref. fabric.BF513,215
FabricanteNXP
0,64 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 10 → 18mA 20 V - 20V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 626-2282
Nº ref. fabric.BF510,215
FabricanteNXP
0,60 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 0.7 → 3.0mA 20 V - 20V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 772-8929
Nº ref. fabric.MMBF5485
FabricanteON Semiconductor
0,118 €
unitario (Suministrado en Tiras de 100)
unidades
N 4 → 10mA - - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 806-4320
Nº ref. fabric.MMBFJ309
FabricanteON Semiconductor
0,247 €
unitario (Suministrado en Tiras de 50)
unidades
N 12 → 30mA 10 V -25 V - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 2.5pF 5pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 760-6034
Nº ref. fabric.MMBF5459
FabricanteON Semiconductor
0,255 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 4 → 16mA - -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 3pF 7pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 792-5177
Nº ref. fabric.2SK932-24-TB-E
FabricanteON Semiconductor
0,315 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
unidades
N 14.5 → 24mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CP 3 10pF 3pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
Código RS 166-0536
Nº ref. fabric.BF513,215
FabricanteNXP
0,28 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 10 → 18mA 20 V - 20V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm