JFET

"JFET
Un JFET es un dispositivo de cuatro terminales. Los terminales se denominan puerta, drenador, fuente y cuerpo. El terminal del cuerpo está siempre conectado a la fuente. Hay dos tipos de JFET: un canal N y un canal P.
¿Qué significa JFET?
JFET significa transistor de efecto de campo de unión
Construcción de JFET de canal N
El nombre Canal N significa que los electrones son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal N se utiliza un semiconductor de tipo N como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones P están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Construcción de JFET de canal P
El nombre Canal P significa que los orificios son la mayoría portadores de carga. Para formar el Canal P se utiliza un semiconductor de tipo P como base y se dopa con un semiconductor tipo P en ambos extremos. Estas dos regiones N están eléctricamente conectadas juntas con un contacto óhmico en la puerta. Se extraen dos terminales adicionales en los extremos opuestos para el drenador y la fuente.
Características y ventajas
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo controlado por tensión
• Alto grado de aislamiento entre la entrada y la salida
• Menos ruido
¿Cómo se conocen también?
JUGFET
¿Para qué se utilizan los transistores JFET?
Los transistores JFET tienen muchas aplicaciones en electrónica y comunicación. Se pueden utilizar como un interruptor controlado electrónicamente para controlar la energía eléctrica para una carga y como amplificadores.
¿Cuál es la diferencia entre un JFET y BJT (transistor de unión bipolar)?
La diferencia principal entre un JFET y un BJT es que un transistor de efecto de campo de carga (JFET) ofrece solo flujos de portadores de carga mayoritarios, mientras que el transistor bipolar (BJT) ofrece flujos de portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
¿Qué es el dopaje de semiconductores?
El dopaje es el proceso de incluir impurezas extrañas en semiconductores intrínsecos para cambiar sus propiedades eléctricas. Los átomos trivalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo P. Los átomos pentavalentes empleados para dopar el silicio provocan que un semiconductor intrínseco se convierta en un semiconductor de tipo N."

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Descripción Precio Tipo de Canal Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Tensión Máxima Drenador-Fuente Tensión Máxima Puerta-Fuente Tensión Máxima Puerta-Drenador Configuración Configuración de transistor Resistencia Máxima Drenador-Fuente Tipo de Montaje Tipo de Encapsulado Conteo de Pines Capacidad Drenador-Fuente Capacidad Fuente-Puerta Dimensiones
Código RS 163-2112
Nº ref. fabric.CPH5905G-TL-E
FabricanteON Semiconductor
0,179 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 10 → 20mA 15 V - -15V Único Simple - Montaje superficial CPH 5 10pF 2.9pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm
Código RS 626-3314
Nº ref. fabric.PMBFJ309,215
FabricanteNXP
0,095 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
unidades
N 12 → 30mA 25 V -25 V -25V Único Simple 50 Ω Montaje superficial SOT-23 (TO-236AB) 3 - - 3 x 1.4 x 1mm
Código RS 166-2696
Nº ref. fabric.MMBF5457
FabricanteON Semiconductor
0,088 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 1 → 5mA - -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 3pF 7pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-3093
Nº ref. fabric.MMBFJ111
FabricanteON Semiconductor
0,078 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 20mA 15 V -35 V 35V Único Simple 30 Ω Montaje superficial SOT-23 3 28pF 28pF 2.9 x 1.3 x 1.04mm
Código RS 163-0964
Nº ref. fabric.MMBFJ309LT1G
FabricanteON Semiconductor
0,108 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
N 12 → 30mA 25 V - - Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - 5pF 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Código RS 760-6030
Nº ref. fabric.MMBF5457
FabricanteON Semiconductor
0,239 €
unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
unidades
N 1 → 5mA - -25 V 25V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 3pF 7pF 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 166-3092
Nº ref. fabric.MMBF5460
FabricanteON Semiconductor
0,078 €
unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
unidades
P -1 → -5mA 15 V +40 V -40V Único Simple - Montaje superficial SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Código RS 163-0319
Nº ref. fabric.TF412ST5G
FabricanteON Semiconductor
0,083 €
unitario (Suministrado en Carretes de 8000)
unidades
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V Único Simple - Montaje superficial SOT-883 3 4pF 4pF 1.08 x 0.68 x 0.41mm