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    Amplificador de RF BGA5L1BN6E6327XTSA1 Ruido bajo, 18,5 dB 1.000 V TSNP-6-10, 6-Pines

    Infineon
    Código RS:
    258-0658
    Nº ref. fabric.:
    BGA5L1BN6E6327XTSA1
    Fabricante:
    Infineon
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    Producto Descatalogado
    Código RS:
    258-0658
    Nº ref. fabric.:
    BGA5L1BN6E6327XTSA1
    Fabricante:
    Infineon

    Documentación Técnica


    Legislación y Conformidad


    Datos del Producto

    El amplificador de bajo ruido de alta ganancia de Infineon para banda alta LTE es una velocidad de datos LTE que se puede mejorar significativamente mediante el uso del amplificador de bajo ruido. La función de derivación integrada
    aumenta el rango dinámico global del sistema y conduce a una mayor flexibilidad en el front-end RF. En el modo de ganancia alta, el LNA ofrece la mejor cifra de ruido para garantizar altas velocidades de datos incluso en el borde de la celda LTE. Más cerca de la estación base, se puede activar el modo de derivación reduciendo el consumo de corriente.

    Bajo consumo de corriente de 8,5 mA
    Control multiestado: modo de derivación y ganancia alta
    Encapsulado sin cable TSNP-6-10 ultrapequeño
    Salida RF acoplada internamente a 50 ohmios
    Bajo recuento de componentes externos


    Especificaciones

    AtributoValor
    Tipo de AmplificadorRuido bajo
    Ganancia de Potencia Típica18,5 dB
    Potencia de Salida Típica60mW
    Cifra de Ruido Típico1.2dB
    Frecuencia Máxima de Funcionamiento1.000 V
    Tipo de EncapsuladoTSNP-6-10
    Conteo de Pines6

    Producto Descatalogado