Amplificador de RF BGA5L1BN6E6327XTSA1 Ruido bajo, 18,5 dB 1.000 V TSNP-6-10, 6-Pines

El amplificador de bajo ruido de alta ganancia de Infineon para banda alta LTE es una velocidad de datos LTE que se puede mejorar significativamente mediante el uso del amplificador de bajo ruido. La función de derivación integrada
aumenta el rango dinámico global del sistema y conduce a una mayor flexibilidad en el front-end RF. En el modo de ganancia alta, el LNA ofrece la mejor cifra de ruido para garantizar altas velocidades de datos incluso en el borde de la celda LTE. Más cerca de la estación base, se puede activar el modo de derivación reduciendo el consumo de corriente.

Bajo consumo de corriente de 8,5 mA
Control multiestado: modo de derivación y ganancia alta
Encapsulado sin cable TSNP-6-10 ultrapequeño
Salida RF acoplada internamente a 50 ohmios
Bajo recuento de componentes externos