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    Amplificador de RF BGA5M1BN6E6327XTSA1 Ruido bajo, 19,3 dB 2200 MHz TSNP-6-10, 6-Pines

    Infineon
    Código RS:
    258-0661
    Nº ref. fabric.:
    BGA5M1BN6E6327XTSA1
    Fabricante:
    Infineon
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    Producto Descatalogado
    Código RS:
    258-0661
    Nº ref. fabric.:
    BGA5M1BN6E6327XTSA1
    Fabricante:
    Infineon

    Documentación Técnica


    Legislación y Conformidad


    Datos del Producto

    El amplificador de bajo ruido de alta ganancia de Infineon para banda media LTE es un amplificador de bajo ruido frontal para LTE que abarca un amplio rango de frecuencia de 1.805 MHz a 2.200 MHz. En modo de derivación, el LNA proporciona una pérdida de inserción de 4,7 dB. Funciona con una tensión de alimentación de 1,5 V a 3,6 V. El dispositivo dispone de un control de dos estados de una línea.

    Tecnología de germanio de silicio B9HF
    Salida RF acoplada internamente a 50 ohmios
    Bajo recuento de componentes externos
    Encapsulado sin plomo (conforme con RoHS)


    Especificaciones

    AtributoValor
    Tipo de AmplificadorRuido bajo
    Ganancia de Potencia Típica19,3 dB
    Potencia de Salida Típica60mW
    Cifra de Ruido Típico1.15dB
    Frecuencia Máxima de Funcionamiento2200 MHz
    Tipo de EncapsuladoTSNP-6-10
    Conteo de Pines6
    Producto Descatalogado