Amplificador de RF ATF-55143-BLKG Ruido bajo, 21,6 dB 1-Canales 6 GHz SOT-343, 4-Pines
- Código RS:
- 812-0521
- Nº ref. fabric.:
- ATF-55143-BLKG
- Fabricante:
- Broadcom
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 812-0521
- Nº ref. fabric.:
- ATF-55143-BLKG
- Fabricante:
- Broadcom
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores de RF GaAs FET, Avago Technologies
Los transistores de RF GaAs FET son ideales para la primera o segunda fase de amplificadores de bajo ruido (LNA) de estación base. Las especificaciones muestran una excelente combinación de bajo nivel de ruido y mayor linealidad. Estos GaAs MESFET transistores RF de Avago Technologies están diseñados para su uso en aplicaciones de conectividad inalámbrica y alta frecuencia.
Transistores MESFET, Avago Technologies
Los transistores de efecto campo de metal-semiconductor (MESFET) ofrecen mejor rendimiento a alta frecuencia que sus equivalentes JFET y MOSFET. Se utilizan con frecuencia en receptores de microondas y amplificadores frontales RF con bajo nivel de ruido.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Amplificador | Ruido bajo |
| Ganancia de Potencia Típica | 21,6 dB |
| Potencia de Salida Típica | 14.4dBm |
| Cifra de Ruido Típico | 0.6dB |
| Número de Canales por Chip | 1 |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 6 GHz |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOT-343 |
| Conteo de Pines | 4 |
| Dimensiones | 2.25 x 1.35 x 1mm |
| Altura | 1mm |
| Longitud | 2.25mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 1.35mm |
- Código RS:
- 812-0521
- Nº ref. fabric.:
- ATF-55143-BLKG
- Fabricante:
- Broadcom