Amplificador de RF ATF-53189-BLK Amplificador lineal, ruido bajo, amplificador de potencia, 17,2 dB 1-Canales 6 GHz

Los transistores de RF GaAs FET son ideales para la primera o segunda fase de amplificadores de bajo ruido (LNA) de estación base. Las especificaciones muestran una excelente combinación de bajo nivel de ruido y mayor linealidad. Estos GaAs MESFET transistores RF de Avago Technologies están diseñados para su uso en aplicaciones de conectividad inalámbrica y alta frecuencia.

Transistores MESFET, Avago Technologies

Los transistores de efecto campo de metal-semiconductor (MESFET) ofrecen mejor rendimiento a alta frecuencia que sus equivalentes JFET y MOSFET. Se utilizan con frecuencia en receptores de microondas y amplificadores frontales RF con bajo nivel de ruido.