Memoria FLASH NAND Toshiba TC58BVG0S3HBAI4, 63 pines, TFBGA, 1Gbit, 2.048 x 8 bits, 120μs, 2,7 V a 3,6 V
- Código RS:
- 796-5327
- Nº ref. fabric.:
- TC58BVG0S3HBAI4
- Fabricante:
- Toshiba
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 796-5327
- Nº ref. fabric.:
- TC58BVG0S3HBAI4
- Fabricante:
- Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Memoria Flash SLC NAND BENAND™ con ECC, Toshiba
BENAND™ es una memoria NAND Flash SLC (Single Level Cell) con ECC (Error Correction Code) integrado.
Memoria Flash BENAND™ SLC NAND
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 1Gbit |
| Organización | 2.048 x 8 bits |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 120µs |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | TFBGA |
| Conteo de Pines | 63 |
| Dimensiones | 11 x 9mm |
| Longitud | 11mm |
| Ancho | 9mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Bits de Palabra | 8 |
| Número de Palabras | 2048 |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
- Código RS:
- 796-5327
- Nº ref. fabric.:
- TC58BVG0S3HBAI4
- Fabricante:
- Toshiba