- Código RS:
- 196-1926
- Nº ref. fabric.:
- HCF4093YM013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Código RS:
- 196-1926
- Nº ref. fabric.:
- HCF4093YM013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MA
Datos del Producto
El HCF4093 es un circuito integrado monolítico fabricado con tecnología de semiconductor de óxido de metal disponible en el encapsulado SO14.
El HCF4093 consta de cuatro circuitos de disparador Schmitt. Cada función de circuito tiene una puerta NAND de 2 entradas con acción de disparador Schmitt en ambas entradas. Interruptores de puerta en diferentes puntos en sentido positivo y señales en sentido negativo. La diferencia entre la tensión positiva (VT+) y la tensión negativa (VT-) se define como tensión de histéresis (VH).
El HCF4093 consta de cuatro circuitos de disparador Schmitt. Cada función de circuito tiene una puerta NAND de 2 entradas con acción de disparador Schmitt en ambas entradas. Interruptores de puerta en diferentes puntos en sentido positivo y señales en sentido negativo. La diferencia entre la tensión positiva (VT+) y la tensión negativa (VT-) se define como tensión de histéresis (VH).
Acción de disparador Schmitt en cada entrada sin componentes externos
Tensión de histéresis típica: 0,9 V a VDD = 5 V y 2,3 V a VDD = 10 V.
Inmunidad al ruido superior al 50 % de VDD (típ.)
Sin límite en los tiempos de subida y bajada de entrada
Corriente quiescente especificada de hasta 20 V.
Características de salida simétrica normalizadas
Tensiones nominales paramétricas de 5 V, 10 V y 15 V
Corriente de fuga de entrada II = 100 na (máx.) a VDD = 18 V y TA = 25 °C.
probado al 100 % para corriente quiescente
Rendimiento ESD
HBM ≥ ±2 kV
MM: 200 V.
MDL: 1 kV
Tensión de histéresis típica: 0,9 V a VDD = 5 V y 2,3 V a VDD = 10 V.
Inmunidad al ruido superior al 50 % de VDD (típ.)
Sin límite en los tiempos de subida y bajada de entrada
Corriente quiescente especificada de hasta 20 V.
Características de salida simétrica normalizadas
Tensiones nominales paramétricas de 5 V, 10 V y 15 V
Corriente de fuga de entrada II = 100 na (máx.) a VDD = 18 V y TA = 25 °C.
probado al 100 % para corriente quiescente
Rendimiento ESD
HBM ≥ ±2 kV
MM: 200 V.
MDL: 1 kV
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Encapsulado | SO |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Número de Elementos | 1 |
Conteo de Pines | 14 |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | -0,5 V |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 22 V |
Dimensiones | 8.75 x 4 x 1.65mm |
Tipo de Disparo | Borde negativo, positivo |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | 125 °C |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |
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