Diodo de conmutación, QH12TZ600Q, 12A, 600V Schottky SiC, TO-220AC, 2-Pines
- Código RS:
- 231-8074
- Nº ref. fabric.:
- QH12TZ600Q
- Fabricante:
- Power Integrations
5 Disponible para entrega en 24/48 horas
30 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
1,322 €
(exc. IVA)
1,60 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 5 - 5 | 1,322 € | 6,61 € |
| 10 - 10 | 1,286 € | 6,43 € |
| 15 - 15 | 1,252 € | 6,26 € |
| 20 - 20 | 1,22 € | 6,10 € |
| 25 + | 1,19 € | 5,95 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 231-8074
- Nº ref. fabric.:
- QH12TZ600Q
- Fabricante:
- Power Integrations
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El diodo de recambio de SiC Power Integrations serie Qspeed H tiene el QRR más bajo de cualquier diodo de silicio de 600 V. Sus características de recuperación aumentan la eficiencia, reducen las EMI y eliminan los amortiguadores. Sustituye a los diodos SiC para un rendimiento de eficiencia similar en aplicaciones de frecuencia de conmutación alta.
Características y ventajas
QRR baja, IRRM baja, TRR baja
Alta capacidad de dif/dt (1000 A / μs)
Recuperación suave
Certificación AEC-Q101
Fab, montaje y pruebas certificadas según IATF 16949
Elimina la necesidad de circuitos amortiguadores
Reduce el tamaño y el número de componentes del filtro EMI
Permite una conmutación extremadamente rápida
Alta capacidad de dif/dt (1000 A / μs)
Recuperación suave
Certificación AEC-Q101
Fab, montaje y pruebas certificadas según IATF 16949
Elimina la necesidad de circuitos amortiguadores
Reduce el tamaño y el número de componentes del filtro EMI
Permite una conmutación extremadamente rápida
Aplicaciones
Diodo de impulso de corrección de factor de potencia en cargador de a bordo
Rectificador de salida del cargador de a bordo
Rectificador de salida del cargador de a bordo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Configuración de diodo | Simple |
| Corriente Máxima Directa | 12A |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión Inversa Máxima | 600V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AC |
| Tecnología de diodo | Schottky SiC |
| Conteo de Pines | 2 |