Diodo, IDH03G65C5XKSA1, 3A, 650V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 2.1V, Schottky SiC
- Código RS:
- 168-8933
- Nº ref. fabric.:
- IDH03G65C5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,717 €
(exc. IVA)
2,078 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 + | 1,717 € | 85,85 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 168-8933
- Nº ref. fabric.:
- IDH03G65C5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
thinQ! Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC), Infineon
La gama Infineon thinQ!™ de 5 generación ofrece una nueva tecnología de oblea fina para diodos de barrera Schottky de SiC que mejora las características térmicas. Los dispositivos de diodo Schottky de SiC ofrecen características de semiconductores de potencia de alta tensión ventajosas como mayor intensidad de campo de ruptura y conductividad térmica mejorada, lo que permite mayor niveles de eficiencia. Esta última generación es adecuada para su uso en telecomunicaciones SMPS y servidores de gama alta, SAI, variadores de velocidad de motores, inversores solares, así como aplicaciones PC Silverbox y de iluminación.
EMI reducidas
Diodos y rectificadores, Infineon
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Corriente Continua Máxima Directa | 3A |
| Tensión Repetitiva Inversa de Pico | 650V |
| Configuración de diodo | Simple |
| Tipo de Diodo | Schottky SiC |
| Conteo de Pines | 2 |
| Caída de tensión directa máxima | 2.1V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tecnología de diodo | Schottky SiC |
| Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico | 31A |
- Código RS:
- 168-8933
- Nº ref. fabric.:
- IDH03G65C5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon