Diodo, 1N5817G, Rectificador Schottky, 1A, 20V Barrera Schottky, DO-41, 2-Pines 750mV

Esta serie consta de diodo de potencia de metal a silicio. Estos diodos se suministran en metal de barrera de cromo, pasivación de óxido y contacto de superposición de metal.

• VF Extremadamente baja
• Carga Almacenada Baja
• Conducción De Operador Mayoritaria
• Baja Pérdida De Potencia/Alta Eficiencia

• Carcasa: Epoxi, Moldeado
• Peso: 0.4 Gram
• Acabado: Todas Las Superficies Externas Resistentes A La Corrosión Y Los Cables De Terminal Son Fácilmente Solderables
• temperatura Del Cable Para soldadura: 260 °C máx. Durante 10 Segundos
• Polaridad: Cátodo Indicado Por La Banda De Polaridad

• inversores de alta frecuencia
• diodos de libre circulación
• diodos de protección de polaridad

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The Schottky Rectifier¿s state-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes and polarity protection diodes.

Extremely Low vF
Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
Low Power Loss/High Efficiency Mechanical Characteristics
Mechanical Characteristics:
Case: Epoxy, Molded
Weight: 0.4 gram (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable
Shipped in plastic bags, 1000 per bag.

Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
Marking: 1N5817, 1N5818, 1N5819
Lead Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max for 10 seconds
These are Pb-Free Devices