Memoria EEPROM en paralelo AT28HC64BF-12SU Microchip, 64kbit, 8K x, 8bit, Paralelo, 120ns, 28 pines SOIC
- Código RS:
- 177-1465
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC64BF-12SU
- Fabricante:
- Microchip
270 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 27)
6,032 €
(exc. IVA)
7,299 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
27 - 81 | 6,032 € | 162,864 € |
108 + | 5,881 € | 158,787 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 177-1465
- Nº ref. fabric.:
- AT28HC64BF-12SU
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- TW
Datos del Producto
El dispositivo Microchip AT28HC64BF es una EEPROM en paralelo de 64 kb de alto rendimiento que ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns con una disipación de energía de 220 mW. Si no se selecciona, la corriente en espera CMOS es inferior a 100 μA. Se accede del mismo modo que a una RAM estática para los ciclos de lectura o escritura, sin componentes externos, e incluye un registro de páginas de 64 bytes para poder escribir un máximo de 64 bytes a la vez. El mecanismo de protección de datos con software opcional protege contra la escritura accidental y una EEPROM adicional de 64 bytes permite identificar o realizar un seguimiento del dispositivo.
Características adicionales:
8 kb x 8 (64 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 70 ns, ciclos de borrado y escritura con temporizador automático
Escritura de bytes y escritura de página
Análisis de datos para detectar el fin de escritura
Opción de 2 ms máximo
Bajo consumo de energía:
Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)
Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 100 μA (máx.)
Protección contra escritura
Protección con hardware
Protección de datos con software
Más de 100.000 ciclos de borrado/escritura
Retención de datos > 10 años
8 kb x 8 (64 kb)
Alimentación de 5 V ±10 %
Interfaz paralela
Tiempo de acceso de 70 ns, ciclos de borrado y escritura con temporizador automático
Escritura de bytes y escritura de página
Análisis de datos para detectar el fin de escritura
Opción de 2 ms máximo
Bajo consumo de energía:
Corriente de lectura/escritura: 40 mA (máx.)
Corriente en espera: TTL de 2 mA (máx.), CMOS de 100 μA (máx.)
Protección contra escritura
Protección con hardware
Protección de datos con software
Más de 100.000 ciclos de borrado/escritura
Retención de datos > 10 años
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 64kbit |
Tipo de Interfaz | Paralelo |
Tipo de Encapsulado | SOIC |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 28 |
Organización | 8K x 8 bits |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
Tensión de Programación | 4.5 → 5.5V |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Dimensiones | 18.1 x 7.6 x 2.35mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Data Retention | 10año |
Número de Palabras | 8K |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 120ns |
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