Memoria EEPROM serie 25AA02E48T-I/SN Microchip, 2kbit, 256K x, 8bit, Serie SPI, 8 pines SOIC
- Código RS:
- 177-2757
- Nº ref. fabric.:
- 25AA02E48T-I/SN
- Fabricante:
- Microchip
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 177-2757
- Nº ref. fabric.:
- 25AA02E48T-I/SN
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El dispositivo 25AA02E48 de Microchip Technology Inc. es una memoria de solo lectura programable y eléctricamente borrable (EEPROM) serie de 2 kb.
Características adicionales:
Dirección de nodo de 48 bits única y globalmente preprogramada
Compatible con EUI-48™ y EUI-64™
Frecuencia de reloj máxima de 10 MHz
Tecnología CMOS de baja potencia: corriente de escritura máxima: 5 mA a 5,5 V; corriente de lectura: 5 mA a 5,5 V, 10 MHz, corriente en espera: 1 μA a 2,5 V
Organización de 256 x 8 bits
Modo de página de escritura (hasta 16 bytes)
Lectura secuencial:
Ciclos de borrado y escritura autocronometrados (5 ms máximo)
Protección contra escritura de bloque: protección nula, de 1/4, 1/2 o toda la matriz
Protección contra escritura integrada: circuitos de protección de datos de encendido/apagado, cierre de activación de escritura, contacto de protección contra escritura
Alta fiabilidad: resistencia: 1.000.000 de ciclos de borrado/escritura; retención de datos: >200 años; protección contra ESD: >4.000 V
Rangos de temperatura admitidos: industrial (I): –40 °C a +85 °C
Dirección de nodo de 48 bits única y globalmente preprogramada
Compatible con EUI-48™ y EUI-64™
Frecuencia de reloj máxima de 10 MHz
Tecnología CMOS de baja potencia: corriente de escritura máxima: 5 mA a 5,5 V; corriente de lectura: 5 mA a 5,5 V, 10 MHz, corriente en espera: 1 μA a 2,5 V
Organización de 256 x 8 bits
Modo de página de escritura (hasta 16 bytes)
Lectura secuencial:
Ciclos de borrado y escritura autocronometrados (5 ms máximo)
Protección contra escritura de bloque: protección nula, de 1/4, 1/2 o toda la matriz
Protección contra escritura integrada: circuitos de protección de datos de encendido/apagado, cierre de activación de escritura, contacto de protección contra escritura
Alta fiabilidad: resistencia: 1.000.000 de ciclos de borrado/escritura; retención de datos: >200 años; protección contra ESD: >4.000 V
Rangos de temperatura admitidos: industrial (I): –40 °C a +85 °C
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 2kbit |
| Tipo de Interfaz | Serie SPI |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Organización | 256K x 8 bits |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 1,8 V |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Dimensiones | 4.9 x 3.9 x 1.5mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Número de Palabras | 256K |
| Data Retention | 200año |