AEC-Q100 Memoria EEPROM serie 25LC010A-I/MS Microchip, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie SPI, 50ns, 8 pines DFN, MSOP, PDIP,
- Código RS:
- 197-6051
- Nº ref. fabric.:
- 25LC010A-I/MS
- Fabricante:
- Microchip
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 11/06/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 100)
0,504 €
(exc. IVA)
0,61 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
100 + | 0,504 € | 50,40 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 197-6051
- Nº ref. fabric.:
- 25LC010A-I/MS
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Microchip 25LC010A-I/MS es una memoria de solo lectura programable Y eléctricamente borrable (EEPROM) serie de 1 Kbit. Es posible acceder a la memoria mediante un bus serie compatible con la interfaz de periféricos serie (SPI). Las señales de bus necesarias son una entrada de reloj (SCK), así como una línea de entrada de datos (SI) y otra de salida de datos (SO) independientes. El acceso al dispositivo se controla con una entrada de selección de chip (CS). La comunicación con el dispositivo se puede pausar con el contacto de retención (HOLD).
Frecuencia de reloj máxima de 10 MHz
Tecnología CMOS de baja potencia: corriente de escritura máxima: 5 mA a 5,5 V; corriente de lectura: 5 mA a 5,5 V, 10 MHz, corriente en espera: 1 μA a 5,5V
Lectura secuencial
Ciclos de borrado y escritura autocronometrados (5 ms máximo)
Protección contra escritura de bloque: proteger nada, 1/4, 1/2 o toda la matriz
Protección contra escritura integrada: circuitos de protección de datos de encendido/apagado, cierre de activación de escritura, contacto de protección contra escritura
Alta fiabilidad: resistencia: 1.000.000 de ciclos de borrado/escritura; retención de datos: 200 años; protección contra ESD: 4.000 V
Sin plomo y compatible con RoHS
Tecnología CMOS de baja potencia: corriente de escritura máxima: 5 mA a 5,5 V; corriente de lectura: 5 mA a 5,5 V, 10 MHz, corriente en espera: 1 μA a 5,5V
Lectura secuencial
Ciclos de borrado y escritura autocronometrados (5 ms máximo)
Protección contra escritura de bloque: proteger nada, 1/4, 1/2 o toda la matriz
Protección contra escritura integrada: circuitos de protección de datos de encendido/apagado, cierre de activación de escritura, contacto de protección contra escritura
Alta fiabilidad: resistencia: 1.000.000 de ciclos de borrado/escritura; retención de datos: 200 años; protección contra ESD: 4.000 V
Sin plomo y compatible con RoHS
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 1kbit |
Tipo de Interfaz | Serie SPI |
Tipo de Encapsulado | DFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TDFN, TSSOP |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Organización | 128 x 8 bits |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,5 V |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
Tensión de Programación | 2.5 → 5.5V |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Dimensiones | 3 x 3 x 0.95mm |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 50ns |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Data Retention | 200año |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Número de Palabras | 128 |
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