Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado DIP de 2 pines
- Código RS:
- 168-5163
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34
- Fabricante:
- ams OSRAM
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 24/04/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
0,404 €
(exc. IVA)
0,489 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 1000 + | 0,404 € | 404,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 168-5163
- Nº ref. fabric.:
- BPW 34
- Fabricante:
- ams OSRAM
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Espectros Detectados | infrarrojo, Luz Visible |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 850nm |
| Encapsulado | DIP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Función de amplificador | No |
| Número de Pines | 2 |
| Material del Diodo | Si |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 400nm |
| Máxima Longitud de Onda Detectada | 1100nm |
| Longitud | 4.5mm |
| Anchura | 4mm |
| Altura | 2.2mm |
| Fotosensibilidad de Pico | 0.62A/W |
| Polaridad | Inverso |
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