Fotodiodo de silicio Vishay BPV10, Radiación en el infrarrojo cercano, radiación infrarroja visible, λ sensibilidad
- Código RS:
- 815-1241
- Nº ref. fabric.:
- BPV10
- Fabricante:
- Vishay
160 Disponible para entrega en 24/48 horas
160 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,625 €
(exc. IVA)
0,756 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 20 - 180 | 0,625 € | 12,50 € |
| 200 - 480 | 0,531 € | 10,62 € |
| 500 - 980 | 0,469 € | 9,38 € |
| 1000 - 1980 | 0,438 € | 8,76 € |
| 2000 + | 0,344 € | 6,88 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 815-1241
- Nº ref. fabric.:
- BPV10
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Fotodiodos PIN serie BPV10
La serie BPV10 de Vishay Semiconductors son fotodiodos PIN dentro de un encapsulado de plástico estándar de 5 mm (T-1 3/4). Son sensibles tanto a la radiación por infrarrojos visible como cercana.
Características de los fotodiodos PIN BPV10:
Alta velocidad
Alta sensibilidad radiante
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Área sensible a la radiación: 0,78 mm²
Tiempos de respuesta rápidos
Alta velocidad
Alta sensibilidad radiante
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Área sensible a la radiación: 0,78 mm²
Tiempos de respuesta rápidos
Fotodiodos, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Espectros Detectados | Radiación en el infrarrojo cercano, radiación infrarroja visible |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 920nm |
| Encapsulado | T-1 3/4 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Función de amplificador | No |
| Número de Pines | 2 |
| Material del Diodo | Si |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 380nm |
| Máxima Longitud de Onda Detectada | 1100nm |
| Tiempo de Bajada Típico | 2.5ns |
| Longitud | 8.6mm |
| Anchura | 5mm |
| Diámetro | 5mm |
| Serie | BPV10 |
| Tiempo de Subida Típico | 2.5ns |
| Tensión de ruptura | 60V |
Enlaces relacionados
- Fototransistor Vishay VEMT Radiación en el infrarrojo cercano mont. SMD, GW
- Fototransistor Vishay Radiación en el infrarrojo cercano,...
- Fotodiodo de silicio Excelitas Technologies λ sensibilidad máx....
- Fotodiodo de silicio Hamamatsu λ sensibilidad máx. 550nm...
- Fotodiodo de silicio OSI Optoelectronics Photovaltic λ...
- Fotodiodo de silicio Hamamatsu λ sensibilidad máx. 465/540/615nm...
- Fotodiodo de silicio Hamamatsu λ sensibilidad máx. 800nm, encapsulado PCB
- Fotodiodo de silicio Vishay BPV10 λ sensibilidad máx. 940nm...