MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3
- Código RS:
- 180-7325
- Nº ref. fabric.:
- SI7997DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
3000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
1,046 €
(exc. IVA)
1,266 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 3000 + | 1,046 € | 3.138,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 180-7325
- Nº ref. fabric.:
- SI7997DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
El Vishay SI7997DP es un MOSFET de canal P doble que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 30V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Dispone de encapsulado PAK SO-8 de potencia. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,0055ohms a 10VGS y 0,0078ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 60A A.
MOSFET de potencia Trench FET
PWM optimizada
100 % Rg y prueba UIS
PWM optimizada
100 % Rg y prueba UIS