MOSFET Vishay SIA817EDJ-T1-GE3
- Código RS:
- 180-7339
- Nº ref. fabric.:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/09/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,173 €
(exc. IVA)
0,209 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 3000 - 3000 | 0,173 € | 519,00 € |
| 6000 + | 0,164 € | 492,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 180-7339
- Nº ref. fabric.:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
El Vishay SIA817EDJ es un MOSFET de canal P con diodo schottky que tiene una tensión de drenaje a fuente (VDS) de 30V V. Tiene configuración de schottky doble más integrado. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 12V V. Dispone de encapsulado PAK SC-70 de alimentación. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,065ohms a 10VGS y 0,08ohms a 4,5VGS. Corriente de drenaje máxima: 4,5A A.
MOSFET de potencia Schottky Little Foot Plus
Encapsulado Power PAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño pequeño, resistencia de conexión baja, perfil fino de 0,75 mm
Protección ESD típica (MOSFET): 1500 V (HBM)
Encapsulado Power PAK SC-70 térmicamente mejorado, área de tamaño pequeño, resistencia de conexión baja, perfil fino de 0,75 mm
Protección ESD típica (MOSFET): 1500 V (HBM)