- Código RS:
- 462-3102
- Nº ref. fabric.:
- SGW30N60FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 462-3102
- Nº ref. fabric.:
- SGW30N60FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Transistores IGBT discretos Infineon
Los transistores IGBT discretos de Infineon ofrecen diversas tecnologías como NPT, Trenchstop™ y Fieldstop. Se pueden utilizar en muchas aplicaciones que pueden requerir conmutación dura o blanda incluidas aplicaciones industriales, SAI, inversores, electrodomésticos y cocinas de inducción. Algunos dispositivos incluyen un diodo antiparalelo o un diodo de integración monolítica.
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 41 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.9 x 5.3 x 20.95mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 462-3102
- Nº ref. fabric.:
- SGW30N60FKSA1
- Fabricante:
- Infineon