Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, N-Canal, 200 A, 1.200 V, M259, 7-Pines Simple
- Código RS:
- 747-1119
- Nº ref. fabric.:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
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- Código RS:
- 747-1119
- Nº ref. fabric.:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1040 W |
| Tipo de Encapsulado | M259 |
| Configuración | Único |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 7 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 108 x 62 x 30mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 747-1119
- Nº ref. fabric.:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Fabricante:
- Fuji Electric