JFET, TF412SG, N-Canal, 30 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 163-0319
- Nº ref. fabric.:
- TF412ST5G
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 29/05/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 8000)
0,078 €
(exc. IVA)
0,094 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 8000 + | 0,078 € | 624,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 163-0319
- Nº ref. fabric.:
- TF412ST5G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 1.2 to 3mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | -30V |
| Configuración | Único |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOT-883 |
| Conteo de Pines | 3 |
| Capacidad Drenador-Fuente | 4pF |
| Capacidad Fuente-Puerta | 4pF |
| Dimensiones | 1.08 x 0.68 x 0.41mm |
| Disipación de Potencia Máxima | 100 mW |
| Longitud | 1.08mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 0.68mm |
| Altura | 0.41mm |
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