JFET, J111, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Certificado de conformidad RoHS
COO (País de Origen): MY
Datos del Producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Min. 20mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente -35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador 35V
Configuración de transistor Simple
Configuración Único
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 30 Ω
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado TO-92
Conteo de Pines 3
Capacidad Drenador-Fuente 28pF
Capacidad Fuente-Puerta 28pF
Dimensiones 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 5.2mm
Ancho 4.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 27/08/2019, con entrega en 2 día(s) laborable(s).
Precio unitario (En una bolsa de 10000)
0,073
(exc. IVA)
0,088
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Bolsa*
10000 +
0,073 €
730,00 €
*precio indicativo