JFET, MMBFJ310LT1G, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23, 3-Pines

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
Datos del Producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 24 → 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente +25 V
Configuración de transistor Simple
Configuración Único
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOT-23
Conteo de Pines 3
Dimensiones 2.9 x 1.3 x 0.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 2.9mm
Altura 0.94mm
Ancho 1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
9000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
Antes 481,90 €
0,108
(exc. IVA)
0,131
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Carrete*
3000 +
0,108 €
324,00 €
*precio indicativo