JFET, J105, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Certificado de conformidad RoHS
Datos del Producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 500mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador 25V
Configuración de transistor Simple
Configuración Único
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3 Ω
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado TO-92
Conteo de Pines 3
Capacidad Drenador-Fuente 160pF
Capacidad Fuente-Puerta 160pF
Dimensiones 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 5.2mm
Ancho 4.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
210 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)
0,44
(exc. IVA)
0,53
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Pack*
10 +
0,44 €
4,40 €
*precio indicativo
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