JFET, J112, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines

Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Certificado de conformidad RoHS
Datos del Producto

JFET de canal N, Fairchild Semiconductor

Transistores JFET

Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)

Especificaciones
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss Min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente -35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador 35V
Configuración Único
Configuración de transistor Simple
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 50 Ω
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado TO-92
Conteo de Pines 3
Capacidad Drenador-Fuente 28pF
Capacidad Fuente-Puerta 28pF
Dimensiones 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Altura 5.33mm
Longitud 5.2mm
Ancho 4.19mm
3550 Disponible para entrega en 24/48 horas
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 50)
0,265
(exc. IVA)
0,321
(inc.IVA)
unidades
Por unidad
Por Pack*
50 - 450
0,265 €
13,25 €
500 +
0,117 €
5,85 €
*precio indicativo
Opciones de empaquetado: