AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM28V020-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256kbit, 32K x 8 bits, 70ns, 2 V a 3,6 V
- Código RS:
- 125-4229
- Nº ref. fabric.:
- FM28V020-SG
- Fabricante:
- Infineon
- Código RS:
- 125-4229
- Nº ref. fabric.:
- FM28V020-SG
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 256 Kbit organizada lógicamente como 32K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
Funcionamiento del modo de página
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM
Pinout 32K x 8 SRAM estándar del sector
tiempo de acceso de 70 ns, tiempo de ciclo de 140 ns
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Resistente a subtensiones de tensión negativa
Bajo consumo
Corriente activa 5 mA (típ.)
Corriente en espera de 90 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulados:
Encapsulado de circuito integrado (SOIC) de contorno pequeño de 28 pines
Paquete fino de 28 pines de contorno pequeño (TSOP) Tipo I
Paquete de contorno pequeño fino de 32 pines (TSOP) Tipo I
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
Funcionamiento del modo de página
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Compatible con SRAM
Pinout 32K x 8 SRAM estándar del sector
tiempo de acceso de 70 ns, tiempo de ciclo de 140 ns
Superior a los módulos SRAM respaldados por batería
No hay problemas con la batería
Fiabilidad monolítica
Solución de montaje en superficie real, sin pasos de rectificación
Superior para humedad, golpes y vibraciones
Resistente a subtensiones de tensión negativa
Bajo consumo
Corriente activa 5 mA (típ.)
Corriente en espera de 90 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Encapsulados:
Encapsulado de circuito integrado (SOIC) de contorno pequeño de 28 pines
Paquete fino de 28 pines de contorno pequeño (TSOP) Tipo I
Paquete de contorno pequeño fino de 32 pines (TSOP) Tipo I
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 256kbit |
Organización | 32K x 8 bits |
Tipo de Interfaz | Paralelo |
Ancho del Bus de Datos | 8bit |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 70ns |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | SOIC |
Conteo de Pines | 28 |
Dimensiones | 18.11 x 7.62 x 2.37mm |
Longitud | 18.11mm |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
Ancho | 7.62mm |
Altura | 2.37mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Número de Palabras | 32K |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Enlaces relacionados
- AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM18W08-SG SOIC 256kbit 70ns7 V a 5,5 V
- Memoria FRAM Infineon FM16W08-SG SOIC 64kbit, 8K x 8
- Memoria FRAM Infineon FM25V02A-G SOIC 256kbit, 32K x 8
- Memoria FRAM Infineon FM18W08-SGTR SOIC 256kbit 70ns
- Memoria FRAM Infineon FM24V02A-G SOIC 256kbit 450ns6 V
- Memoria EEPROM en paralelo AT28HC256-12JU Microchip 32K x Paralelo...
- Memoria FRAM Infineon FM25V02A-DG DFN 256kbit 16ns6 V
- AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM1808B-SG SOIC 256kbit 70ns5 V a 5,5 V