- Código RS:
- 165-4121
- Nº ref. fabric.:
- SST39SF040-55-4I-NHE
- Fabricante:
- Microchip
630 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 30)
2,169 €
(exc. IVA)
2,624 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
30 + | 2,169 € | 65,07 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 165-4121
- Nº ref. fabric.:
- SST39SF040-55-4I-NHE
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- PH
Datos del Producto
Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.
Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Memoria FLASH de Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
Tipo de Interfaz | Paralelo |
Tipo de Encapsulado | PLCC |
Conteo de Pines | 32 |
Organización | 512K x 8 bits |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Célula | Doble puerta |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
Organización de Bloques | Simétrico |
Longitud | 13.97mm |
Altura | 2.79mm |
Ancho | 11.43mm |
Dimensiones | 11.43 x 13.97 x 2.79mm |
Serie | SST39 |
Número de Palabras | 512K |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 55ns |
Enlaces relacionados
- Memoria flash 128K x 8 bits PLCC, 32 pines
- Memoria flash 512K x 8 SOIC, 8 pines
- Memoria flash 128 x 8 PLCC-32, 32 pines
- Memoria flash 512K x 8 bits 70ns 32 pines
- Memoria flash 128 K x 8 PLCC, 32 pines
- Memoria flash 512K x 8 bits SOIC, 8 pines
- Memoria flash SST39SF040-70-4C-WHE 4Mbit TSOP, 32 pines
- Memoria flash 256K x 8 bits PLCC, 32 pines