Memoria flash, Paralelo TC58NVG1S3ETAI0 2 GByte, 256 M x 8, 25ns, TSOP, 48 pines
- Código RS:
- 168-4150
- Nº ref. fabric.:
- TC58NVG1S3ETAI0
- Fabricante:
- Toshiba
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 168-4150
- Nº ref. fabric.:
- TC58NVG1S3ETAI0
- Fabricante:
- Toshiba
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- JP
Datos del Producto
Memoria Flash, Toshiba
Memoria Flash
El IC de memoria FLASH es una memoria RAM no volátil que se debe escribir/borrar en bloques. Tiene una vida útil limitada en cuanto al número de ciclos de escritura y se suele utilizar para el almacenamiento de programas que rara vez cambian de ubicación.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 2 GByte |
| Tipo de Interfaz | Paralelo |
| Tipo de Encapsulado | TSOP |
| Conteo de Pines | 48 |
| Organización | 256 M x 8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Célula | NAND |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | -0,6 V |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 4,6 V |
| Organización de Bloques | Simétrico |
| Dimensiones | 18.4 x 12.4 x 1mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Palabras | 256M |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 25ns |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |