Memoria flash, Paralelo SST39SF040-70-4C-NHE 4Mbit, 512K x 8 bits, 70ns, PLCC, 32 pines
- Código RS:
- 723-8763
- Nº ref. fabric.:
- SST39SF040-70-4C-NHE
- Fabricante:
- Microchip
160 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
2,85 €
(exc. IVA)
3,45 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 2 - 8 | 2,85 € | 5,70 € |
| 10 - 22 | 2,77 € | 5,54 € |
| 24 - 98 | 2,71 € | 5,42 € |
| 100 + | 2,64 € | 5,28 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 723-8763
- Nº ref. fabric.:
- SST39SF040-70-4C-NHE
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.
Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Memoria FLASH de Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
| Tipo de Interfaz | Paralelo |
| Tipo de Encapsulado | PLCC |
| Conteo de Pines | 32 |
| Organización | 512K x 8 bits |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Célula | Doble puerta |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
| Organización de Bloques | Simétrico |
| Longitud | 14.05mm |
| Altura | 2.84mm |
| Ancho | 11.51mm |
| Dimensiones | 11.51 x 14.05 x 2.84mm |
| Serie | SST39 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +70 °C |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 70ns |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0 °C |
| Número de Palabras | 512K |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
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