MOSFET Microchip VP2106N3-G, VDSS 60 V, ID 250 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 165-4218
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
2000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (En una bolsa de 1000)
0,455 €
(exc. IVA)
0,551 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Bolsa* |
| 1000 + | 0,455 € | 455,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 165-4218
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- PH
Datos del Producto
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Transistores MOSFET, Microchip
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 250 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 15 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.06mm |
| Longitud | 5.08mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 5.33mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión de diodo directa | 2V |
- Código RS:
- 165-4218
- Nº ref. fabric.:
- VP2106N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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