- Código RS:
- 166-2639
- Nº ref. fabric.:
- FDD8447L
- Fabricante:
- onsemi
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
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2500 + | 0,391 € | 977,50 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 166-2639
- Nº ref. fabric.:
- FDD8447L
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 57 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 14 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 44 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Ancho | 6.22mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 37 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Longitud | 6.73mm |
Altura | 2.39mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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