MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2310CX RFG, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 169-9285
Nº ref. fabric.:: TSM2310CX RFG
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2310CX RFG, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

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Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,098 €

(exc. IVA)

0,119 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,098 €	294,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 169-9285
Nº ref. fabric.:: TSM2310CX RFG
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, Taiwan Semiconductor

Transistores MOSFET, Taiwan Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,6 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	3.1mm
Ancho	1.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.2mm

Código RS:: 169-9285
Nº ref. fabric.:: TSM2310CX RFG
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2310CX RFG, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, Taiwan Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de potencia de canal N, Taiwan Semiconductor

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