MOSFET Taiwan Semiconductor TSM8N80CI C0G, VDSS 800 V, ID 8 A, ITO-220 de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 171-3642
- Nº ref. fabric.:
- TSM8N80CI C0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Producto Descatalogado
- Código RS:
- 171-3642
- Nº ref. fabric.:
- TSM8N80CI C0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El Taiwan Semiconductor 800V, 8A, 1. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 5Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de iluminación.
Baja RDS(ON) 1.4Ω (máx.)
Carga de compuerta baja típica a 41nC mA (Típ.)
Mejora de la capacidad dv/dt
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40,3W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.
Carga de compuerta baja típica a 41nC mA (Típ.)
Mejora de la capacidad dv/dt
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40,3W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Tipo de Encapsulado | ITO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,5 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 40,3 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 41 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.6mm |
| Longitud | 10mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 15mm |
| Tensión de diodo directa | 1.5V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 171-3642
- Nº ref. fabric.:
- TSM8N80CI C0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor