MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG, VDSS 600 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 171-3649
Nº ref. fabric.:: TSM4NB60CP ROG
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG, VDSS 600 V, ID 4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 171-3649
Nº ref. fabric.:: TSM4NB60CP ROG
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Taiwan Semiconductor 600V, 4A, 2. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 5Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de iluminación.

100 % a prueba de avalancha
Chapado sin plomo
Conforme a la directiva RoHS 2011/65/UE y conforme A LA NORMA WEE 2002/96/CE
Libre de halógenos conforme a la definición IEC 61249-2-21
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 50W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2,5V V y 4,5V V.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	50 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Longitud	6.5mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14,5 nC a 10 V
Ancho	6.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.13V
Altura	2.28mm

Código RS:: 171-3649
Nº ref. fabric.:: TSM4NB60CP ROG
Fabricante:: Taiwan Semiconductor