MOSFET Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 171-3659
- Nº ref. fabric.:
- TSM090N03CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
75 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,311 €
(exc. IVA)
0,376 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
25 - 50 | 0,311 € | 7,775 € |
75 - 125 | 0,269 € | 6,725 € |
150 - 475 | 0,235 € | 5,875 € |
500 + | 0,214 € | 5,35 € |
*precio indicativo |
- Código RS:
- 171-3659
- Nº ref. fabric.:
- TSM090N03CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de potencia de canal N con contacto de lengüeta 3, 55A V y 30V A Taiwan Semiconductor tiene una configuración de transistor único y modo de canal de mejora.
En conformidad con RoHS
Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1V V y 2,5V V.
Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 1V V y 2,5V V.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 55 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 13 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 40 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Ancho | 5.8mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 7,5 nC a 4,5 V |
Longitud | 6.5mm |
Tensión de diodo directa | 1V |
Altura | 2.3mm |
- Código RS:
- 171-3659
- Nº ref. fabric.:
- TSM090N03CP ROG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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