MOSFET Taiwan Semiconductor TSM7N90CI C0G, VDSS 900 V, ID 7 A, ITO-220 de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 171-3667
Nº ref. fabric.:: TSM7N90CI C0G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM7N90CI C0G, VDSS 900 V, ID 7 A, ITO-220 de 3 pines, config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 171-3667
Nº ref. fabric.:: TSM7N90CI C0G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Taiwan Semiconductor 900V, 7A, 1. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 9Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de iluminación.

Baja RDS(on) 1.9Ω (máx.)
Carga de compuerta baja típica a 49nC mA (Típ.)
Mejora de la capacidad dv/dt
Chapado sin plomo
Conforme a la directiva RoHS 2011/65/UE y conforme A LA NORMA WEE 2002/96/CE
Libre de halógenos conforme a la definición IEC 61249-2-21
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 40,3W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	900 V
Tipo de Encapsulado	ITO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,9 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	40,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Longitud	10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	49 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.4V

Código RS:: 171-3667
Nº ref. fabric.:: TSM7N90CI C0G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor