MOSFET Taiwan Semiconductor TSM60NB260CI C0G, VDSS 600 V, ID 13 A, ITO-220S de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 171-3681
Nº ref. fabric.:: TSM60NB260CI C0G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM60NB260CI C0G, VDSS 600 V, ID 13 A, ITO-220S de 3 pines, config. Simple

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Producto Descatalogado

Código RS:: 171-3681
Nº ref. fabric.:: TSM60NB260CI C0G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Taiwan Semiconductor 600V, 13A, 0. MOSFET de potencia de canal N de 3 contactos y 26Ω con configuración de transistor único y modo de canal de mejora. Se utiliza generalmente en fuentes de alimentación e iluminación de LED ac/dc.

Tecnología Super-Junction
Alto rendimiento gracias a la pequeña figura de mérito
Alta resistencia
Alta conmutación
100% UIL probado
Chapado sin plomo
Conforme a la directiva RoHS 2011/65/UE y IN
Según WEEE 2002/96/CE
Sin halógenos conforme a IEC 61249-2-21
La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C.
Disipación de potencia máxima de 32,1W mW
La tensión de umbral de puerta oscila entre 2V V y 4V V.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	ITO-220S
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	260 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	32,1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	30 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4.6mm
Longitud	10mm
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	15mm

Código RS:: 171-3681
Nº ref. fabric.:: TSM60NB260CI C0G
Fabricante:: Taiwan Semiconductor