MOSFET Taiwan Semiconductor TSM650N15CS RLG, VDSS 150 V, ID 9 A, SOP de 8 pines, config. Simple

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Documentación Técnica

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Tipo de Encapsulado	SOP
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	80 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	12,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Ancho	3.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	24 nC a 6 V, 37 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	4.85mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.55mm
Tensión de diodo directa	1V