MOSFET Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-0818
- Nº ref. fabric.:
- IRFBE30PBF
- Fabricante:
- Vishay
450 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
2,505 €
(exc. IVA)
3,031 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 2,505 € | 125,25 € |
| 100 - 200 | 2,179 € | 108,95 € |
| 250 + | 1,854 € | 92,70 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 178-0818
- Nº ref. fabric.:
- IRFBE30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,1 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 4.7mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 78 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10.41mm |
| Altura | 9.01mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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