Módulo de potencia SiC onsemi NXH006P120MNF2PTG, VDSS 1.200 V, ID 304 A., F2 de 36 pines
- Código RS:
- 229-6509
- Nº ref. fabric.:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 20/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 60)
262,195 €
(exc. IVA)
317,256 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 60 + | 262,195 € | 15.731,70 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 229-6509
- Nº ref. fabric.:
- NXH006P120MNF2PTG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El módulo DE potencia ON Semiconductor contiene un medio puente MOSFET de SiC de 1200 V y un termistor en un encapsulado F2. Se suele utilizar en inversor solar, SAI, estaciones de carga de vehículos eléctricos y alimentación industrial.
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado
Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Opciones con contactos soldables y contactos de encaje a presión
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 304 A. |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | F2 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 36 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,006 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.3V |
| Material del transistor | SiC |
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