MOSFET onsemi NTB7D3N15MC, VDSS 150 V, ID 101 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
- Código RS:
- 230-9080
- Nº ref. fabric.:
- NTB7D3N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)
1,67 €
(exc. IVA)
2,02 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 800 + | 1,67 € | 1.336,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 230-9080
- Nº ref. fabric.:
- NTB7D3N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET DE ON Semiconductor - MOSFET de zanja de potencia de puerta apantallada de canal N tiene una tensión de drenaje a fuente de 150 V.
Rendimiento de conmutación optimizado
RDS(on) máx. = 7,3 mΩ con VGS = 10 V, ID = 62A
El Qrr más bajo del sector y el diodo de cuerpo más suave para conmutación de ruido bajo superior
Qrr un 50 % más bajo que otros proveedores de MOSFET
Alta eficiencia con menor pico de conmutación y EMI
Reduce el ruido de conmutación/EMI
FOM de conmutación mejorada, especialmente QGD
100% UIL probado
Sin necesidad o menos amortiguador
RDS(on) máx. = 7,3 mΩ con VGS = 10 V, ID = 62A
El Qrr más bajo del sector y el diodo de cuerpo más suave para conmutación de ruido bajo superior
Qrr un 50 % más bajo que otros proveedores de MOSFET
Alta eficiencia con menor pico de conmutación y EMI
Reduce el ruido de conmutación/EMI
FOM de conmutación mejorada, especialmente QGD
100% UIL probado
Sin necesidad o menos amortiguador
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 101 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Serie | NTB7D |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,073 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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