- Código RS:
- 230-9092P
- Nº ref. fabric.:
- NTMC083NP10M5L
- Fabricante:
- onsemi
- Código RS:
- 230-9092P
- Nº ref. fabric.:
- NTMC083NP10M5L
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET DE canal P y canal N doble ON Semiconductor tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona y conversión dc-dc.
Tamaño pequeño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja pérdida de conducción
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Tamaño estándar
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
La pieza no está protegida contra ESD
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Baja pérdida de conducción
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Tamaño estándar
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
La pieza no está protegida contra ESD
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,5 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Tipo de Encapsulado | SOIC |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,083 Ω |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Serie | NTMC0 |