MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

Código RS:: 541-1039
Nº ref. fabric.:: IRFD110PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

85 Disponible para entrega en 24/48 horas

102 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio Unidad

1,52 €

(exc. IVA)

1,84 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	1,52 €
10 - 49	1,23 €
50 - 99	1,15 €
100 - 249	1,07 €
250 +	1,01 €

Código RS:: 541-1039
Nº ref. fabric.:: IRFD110PBF
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

CARACTERÍSTICAS
• MOSFET de potencia TrenchFET®
• paquete con baja resistencia térmica

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	HVMDIP
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	540 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	1,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.29mm
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,3 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Altura	3.37mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 541-1039
Nº ref. fabric.:: IRFD110PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

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